GT20J341,S4X(S

零件编号: GT20J341,S4X(S
产品分类: 单 IGBT
制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
包装: Tube
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600 V
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
  • 输入类型 Standard
  • 包装/箱 TO-220-3 Full Pack
  • 供应商设备包 TO-220SIS
  • 反向恢复时间 (trr) 90 ns
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 20 A
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
  • 功率 - 最大 45 W
  • 开关能量 500µJ (on), 400µJ (off)
  • Td(开/关)@ 25°C 60ns/240ns
  • 测试条件 300V, 20A, 33Ohm, 15V