GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)

零件编号： GT50JR21(STA1,E,S)
产品分类： 单 IGBT
制造商： Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述： PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
包装： Tube
ROHS状态： Yes
货币： USD
PDF： 资料

规格

  • 安装类型 Through Hole
  • 集电极电流 (Ic)（最大） 50 A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600 V
  • 包装/箱 TO-3P-3, SC-65-3
  • 输入类型 Standard
  • 工作温度 175°C (TJ)
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 100 A
  • 供应商设备包 TO-3P(N)
  • 功率 - 最大 230 W
  • Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2V @ 15V, 50A