HGT1S2N120CN
零件编号：
HGT1S2N120CN
产品分类：
单 IGBT
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
N-CHANNEL IGBT
包装：
-
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 1200 V
- 输入类型 Standard
- 供应商设备包 TO-262
- 包装/箱 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- IGBT类型 NPT
- 集电极脉冲电流 (Icm) 20 A
- 集电极电流 (Ic)（最大） 13 A
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
- 功率 - 最大 104 W
- 开关能量 96µJ (on), 355µJ (off)
- 栅极电荷 30 nC
- Td（开/关）@ 25°C 25ns/205ns
- 测试条件 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V