HGTD7N60C3S9A
零件编号：
HGTD7N60C3S9A
产品分类：
单 IGBT
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
包装：
-
ROHS状态：
No
货币：
USD
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 功率 - 最大 60 W
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600 V
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 输入类型 Standard
- 供应商设备包 TO-252 (DPAK)
- 集电极电流 (Ic)（最大） 14 A
- 栅极电荷 23 nC
- 集电极脉冲电流 (Icm) 56 A
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
- 开关能量 165µJ (on), 600µJ (off)