HGTP12N60A4D
零件编号：
HGTP12N60A4D
产品分类：
单 IGBT
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
包装：
-
ROHS状态：
No
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 TO-220-3
- 反向恢复时间 (trr) 30 ns
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600 V
- 功率 - 最大 167 W
- 输入类型 Standard
- 供应商设备包 TO-220-3
- 测试条件 390V, 12A, 10Ohm, 15V
- 集电极脉冲电流 (Icm) 96 A
- 集电极电流 (Ic)（最大） 54 A
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
- 开关能量 55µJ (on), 50µJ (off)
- 栅极电荷 78 nC
- Td（开/关）@ 25°C 17ns/96ns