NGB8207BNT4G
零件编号：
NGB8207BNT4G
产品分类：
单 IGBT
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
包装：
-
ROHS状态：
No
货币：
USD
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商设备包 D2PAK
- 集电极脉冲电流 (Icm) 50 A
- 输入类型 Logic
- 集电极电流 (Ic)（最大） 20 A
- 功率 - 最大 165 W
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 365 V
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2.6V @ 4V, 20A