NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G

零件编号: NGTB03N60R2DT4G
产品分类: 单 IGBT
制造商: Sanyo Semiconductor/onsemi
描述: IGBT 9A 600V DPAK
包装: -
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料 资料

规格

  • 安装类型 Surface Mount
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600 V
  • 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 供应商设备包 DPAK
  • 输入类型 Standard
  • 工作温度 175°C (TJ)
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 12 A
  • 反向恢复时间 (trr) 65 ns
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 9 A
  • 功率 - 最大 49 W
  • 栅极电荷 17 nC
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A
  • 开关能量 50µJ (on), 27µJ (off)
  • Td(开/关)@ 25°C 27ns/59ns
  • 测试条件 300V, 3A, 30Ohm, 15V