RGT30NS65DGC9
零件编号：
RGT30NS65DGC9
产品分类：
单 IGBT
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- IGBT类型 Trench Field Stop
- 输入类型 Standard
- 供应商设备包 TO-262
- 包装/箱 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 650 V
- 集电极电流 (Ic)（最大） 30 A
- 集电极脉冲电流 (Icm) 45 A
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
- 栅极电荷 32 nC
- 反向恢复时间 (trr) 55 ns
- 测试条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
- Td（开/关）@ 25°C 18ns/64ns
- 功率 - 最大 133 W