RGT30TM65DGC9

RGT30TM65DGC9

零件编号: RGT30TM65DGC9
产品分类: 单 IGBT
制造商: ROHM Semiconductor
描述: IGBT TRNCH FLD 650V 14A TO220NFM
包装: Tube
ROHS状态: Yes
货币: USD

规格

  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 输入类型 Standard
  • 包装/箱 TO-220-3 Full Pack
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 650 V
  • 供应商设备包 TO-220NFM
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 14 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 45 A
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
  • 栅极电荷 32 nC
  • 反向恢复时间 (trr) 55 ns
  • 功率 - 最大 32 W
  • 测试条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • Td(开/关)@ 25°C 18ns/64ns