SIGC18T60UNX1SA2
零件编号：
SIGC18T60UNX1SA2
产品分类：
单 IGBT
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
包装：
-
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 Die
- 供应商设备包 Die
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600 V
- 输入类型 Standard
- 集电极脉冲电流 (Icm) 60 A
- IGBT类型 NPT
- 集电极电流 (Ic)（最大） 20 A
- Td（开/关）@ 25°C 15ns/65ns
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 3.15V @ 15V, 20A
- 测试条件 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V