STGB30H65DFB2

STGB30H65DFB2

零件编号: STGB30H65DFB2
产品分类: 单 IGBT
制造商: STMicroelectronics
描述: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
包装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 50 A
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 功率 - 最大 167 W
  • 输入类型 Standard
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 650 V
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 90 A
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
  • 反向恢复时间 (trr) 115 ns
  • 栅极电荷 90 nC
  • 包装/箱 TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • 开关能量 270µJ (on), 310µJ (off)
  • Td(开/关)@ 25°C 18.4ns/71ns
  • 测试条件 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
  • 供应商设备包 D2PAK-3